rezident (16.11.2021 17:24, просмотров: 258) ответил rezident на Я не знаю как именно внутри STM32 устроен контроллер
стирания/записи Flash, но "истирание" памяти сопровождается
появлением "плавающих" бит. Т.е. значения некоторых бит ячеек Flash
могут считываться то так (0), то этак (1).-
- то есть всё то же - увеличение времени стирания (к примеру). - Лaгyнoв(16.11.2021 17:42)
- Там перечислены три основных фактора, связанные с тем, что со
временем затвор транзистора ячейки памяти течь начинает. - rezident(16.11.2021 18:28)
- Граммар-наци негодует: затвор не течет, а падает сопротивление
изоляции затвора. Как результат со временем нолики превращаются в
единички. - BlackMorda(18.11.2021 19:59)
- Механизм "износа" eeprom памяти в большинстве случаев представляет
собой неустранимый charge trapping на плавающем затворе
транзистора. Т.е. проводится попытка erase, а на затворе все равно
присутствует заряд. Таким образом, механизм "износа" обратен -
нестираемый '0'. Если присутствует утечка, то это не износ, это
дефект производста. Ячейка или не может быть запрограммирована, или
вскорости теряет свое состояние с '0' на '1'. Неустранимый со
временем заряд возникает в RxTx(228 знак., 18.11.2021 20:37)
- Странно. Электроны накапливаются в диэлектрике и не удаляются
электрическим полем? Ну ладно, Лагунов разберется и предоставит
отчет. :-) - BlackMorda(18.11.2021 20:41)
- а мне всегда казалось, что оно наоборот, после тыщ управляемых
пробоев диэлектрика настолько ломало диэлектрику целостность, что
заряды должны были бы стекать не задерживаясь. - Mahagam(18.11.2021 22:26)
- Всё бы вам целостность ломать... ^_^ - RxTx(18.11.2021 22:30)
- а мне всегда казалось, что оно наоборот, после тыщ управляемых
пробоев диэлектрика настолько ломало диэлектрику целостность, что
заряды должны были бы стекать не задерживаясь. - Mahagam(18.11.2021 22:26)
- Странно. Электроны накапливаются в диэлектрике и не удаляются
электрическим полем? Ну ладно, Лагунов разберется и предоставит
отчет. :-) - BlackMorda(18.11.2021 20:41)
- Механизм "износа" eeprom памяти в большинстве случаев представляет
собой неустранимый charge trapping на плавающем затворе
транзистора. Т.е. проводится попытка erase, а на затворе все равно
присутствует заряд. Таким образом, механизм "износа" обратен -
нестираемый '0'. Если присутствует утечка, то это не износ, это
дефект производста. Ячейка или не может быть запрограммирована, или
вскорости теряет свое состояние с '0' на '1'. Неустранимый со
временем заряд возникает в RxTx(228 знак., 18.11.2021 20:37)
- Граммар-наци негодует: затвор не течет, а падает сопротивление
изоляции затвора. Как результат со временем нолики превращаются в
единички. - BlackMorda(18.11.2021 19:59)
- Там перечислены три основных фактора, связанные с тем, что со
временем затвор транзистора ячейки памяти течь начинает. - rezident(16.11.2021 18:28)
- то есть всё то же - увеличение времени стирания (к примеру). - Лaгyнoв(16.11.2021 17:42)