Технологии

Использовал. На тактовой 894 МГц. Картинку увидеть нельзя - дело 4 года назад. Одно могу сказать - каких-то существенных отклонений, от заявленных в спецификации, обнаружено не было. Параметры можешь посмотореть в спецификации (дейташите). Обычно интересующиеся избирают такой путь:-). Впрочем - ЦАП там 10 разрядный. Могу вот еще выложить ответ мультикора на наш вопрос о стойкости к спецфакторам продукции мультикора. В том числе и на DDS 1508ПЛ8. В спецификации этих параметров тогда не было, щас не знаю, может и есть. " Здравствуйте! Выдержка из ТЗ на микросхему 1508ПЛ8Т: «3.3.3 Микросхемы должны быть стойкими к воздействию специальных факторов 7.И1, 7.И6, 7.И7, 7.С1, 7.С4, 7.К1, 7.К4 с характеристиками, соответствующих группе 1Ус. Уровень бессбойной работы при воздействии специальных факторов 7.И (характеристика 7.И8) устанавливается в ходе ОКР, но не ниже 0,02x1Ус. Критерии сбоя уточняются в ходе ОКР и указываются в программе (методике) испытаний. Время потери работоспособности при воздействии специальных факторов 7.И по ГОСТ РВ 20 39 414.2 (характеристика 7.И6) определяется в ходе ОКР, но не более 2 мс. Состав, последовательность, объем и условия испытаний выбираются с учетом положений ОСТ В 11 0998, РД В 319.03.31 и указываются в программе (методике) испытаний. Испытания проводятся по программе, разработанной с учетом положений ГОСТ РВ 20 57 415, РД В319.03.31 и согласованной с ФГУП «22 ЦНИИИ Минобороны России». В ходе ОКР проводится определение показателей электрической прочности микросхем по РД В 319.03.30.» Выдержка из ТЗ на микросхему 1508ПЛ9Т: «3.3.3 Микросхемы должны быть стойкими к воздействию специальных факторов 7.И1, 7.И6, 7.И7, 7.С1, 7.С4, 7.К1, 7.К4 с характеристиками, соответствующих группе 1Ус. Уровень бессбойной работы при воздействии специальных факторов 7.И (характеристика 7.И8) устанавливается в ходе ОКР, но не ниже 0,02x1Ус. Критерии сбоя уточняются в ходе ОКР и указываются в программе (методике) испытаний. Время потери работоспособности при воздействии специальных факторов 7.И по ГОСТ РВ 20 39 414.2 (характеристика 7.И6) определяется в ходе ОКР, но не более 2 мс. Состав, последовательность, объем и условия испытаний выбираются с учетом положений ОСТ В 11 0998, РД В 319.03.31 и указываются в программе (методике) испытаний. Испытания проводятся по программе, разработанной с учетом положений ГОСТ РВ 20 57 415, РД В319.03.31 и согласованной с ФГУП «22 ЦНИИИ Минобороны России». В ходе ОКР проводится определение показателей электрической прочности микросхем по РД В 319.03.30.» ТУ на микросхемы 1508ПЛ8Т и 1508ПЛ9Т будут согласованы после завершения ОКР в конце текущего года. Выдержка из ТУ на наши уже существующие и поставляющиеся микросхемы 1892ВМ3Т, также производящиеся в корпусе QFP: «2.6 Требования по стойкости к воздействию специальных факторов 2.6.1 Микросхемы должны быть стойкими к воздействию специальных факторов с характеристиками 7И, 7С, 7К по ГОСТ РВ 20.39.414.2, в том числе: характеристика 7И1 по группе исполнения 1Ус; характеристика 7И6 по группе исполнения 0,2 х 1Ус; характеристика 7И7 по группе исполнения 2Ус; характеристика 7С1 по группе исполнения 1Ус; характеристика 7С4 по группе исполнения 0,2 х 1Ус; характеристика 7К1 по группе исполнения 1К; характеристика 7К4 по группе исполнения 0,6 х 1К. Требования к специальным факторам с характеристиками 7И2 – 7И4, 7И9 – 7И28, 7С2, 7С3, 7С5, 7С6, 7К2, 7К3, 7К5 – 7К12 не предъявляются. Допускается в процессе и непосредственно после воздействия специальных факторов с характеристикой 7И6 временная потеря работоспособности микросхем. По истечении 2 мс от начала воздействия (при подаче сигнала nRST) работоспособность восстанавливается. Уровень бессбойной работы (характеристика 7И8) при воздействии специальных факторов с характеристикой 7И6 должен быть не менее 0,04 х 1Ус. Критериями работоспособности являются выходные напряжения низкого UOLF и высокого UOHF уровней 26a0262>Tпри ФК и токи потребления в статическом режиме». " Что касается вашего диапазона "от 10 гиг", то в нем игроков совсем немного во всем мире. Пожалуй только hittite. У него есть и мшу широкополосные pll на частоту около 10 ГГц, есть и смесители-модуляторы-демодуляторы. Есть и усилители мощности широкополосные. Хотя они относительно маломощные. До 10 Вт. И то 10 ваттный имеет верхнюю частоту в 10 ГГц. На диапазон больше 10 Гиг есть меньшей мощности, 1-2 вт. Так что при большой мощности либо использовать клистроны-магнетроны-лбв, либо сочинять на дискретных свч-транзисторах, либо петь разлуку. :-) А с PLL-ками hittit-ми на 10 ГГц проблема в другом - в качестве ГУН-ов (VCO) на этот диапазон, малошумных там немного. Поэтому часто бывает выгодней сбить 2, или более, частоты, или умножить одну. А это уже проще. У остальных фирм, в том числе у масом, rfmd, peregrine и т.д. - все сильно скромнее. С другой стороны - люди в нашей стране многие десятки лет работают в диапазоне до 100-200 гигагерц, используя отечественную элементную базу, хотя и не интегральную. И не так уж это громоздко :-)