16+
Понедельник
20 августа
Вход |Карта сайта | |Upload |codebook | PARTS

 О смысле всего сущего 0xFF

 Средства и методы разработки

 Мобильная и беспроводная связь

 Блошиный рынок Объявления

caxapa

Микроконтроллеры ARM 

AVR PIC MSP PLD,FPGA,DSP 

Кибернетика Технологии 

Схемы, платы, компоненты 

Средства и методы разработки

 
   Новая тема Правила Регистрация Поиск »» Архив
Вернуться в конференциюТопик полностью
Evgeny_CD  (12.07.2016 14:37) , в ответ на И примечания мелким шрифтом - ресурс TLC NAND несколько тысяч (не десятков даже) циклов. Т.е. чем больше набит диск - тем выше износ. Или нет? автор: Точка опоры
В этом одна из фишек самсунговской 3D. Там слои сделаны из 65 нм вафель (так раньше было, сейчас, возможно, до 45 нм дошли). Что сильно дешевле 19 нм, по которой сейчас делают планарную FLASH. Чтобы мелкосхема не получилась размером с кредитную 
карту, их и пакуют 48 слойным бутербродом. С другой стороны, 65 нм FLASH от самсунга как раз и имеет ресурс 10к циклов или более, т.е. в 3D варианте рост емкости привел к повышению ресурса. Ну и на последок - режим TLC является отключаемым с переходом к старой доброй SLC. Если почитать тесты SSD, то у Samsung (и у некоторых других) есть некоторая область памяти, несколько Гб, которая работае в режиме SLС и служит неким кешем для быстрой записи данных. Которые потом в фоне перетаскиваются в стандартную область памяи. Причем эта область кеша очищается сама, без TRIM. У самсунга в 840 серии были проблемы с сохранностью данных на SSD, но потом они программно пропатчили контроллеры, и все стало ок. Алгоритмы размазывания износа по всему массиву в SSD столь совершенны, что низкий ресурс одиночной ячейки очень и очень опосредованно сазывается на ресурсе всего SSD.
Главная | Карта сайта | О проекте | Проекты | Файлообменник | Регистрация | Вебмастер | RSS
Лето 7526 от сотворения мира. При использовании материалов сайта ссылка на caxapу обязательна.
MMI © MMXVIII