Средства и методы разработки

Многокристальность сложных микросхем становится стандартом де-факто. Чуток аналитики. http://caxapa.ru/767205.html
http://caxapa.ru/686074.html
1. Все началось с массовой 3D компоновки микросхем FLASH ->, потому что это давало быстрый и хорошо заметный экономический эффект. Сейчас большая часть NAND памяти на рынке - многослойная. 2. Xilinx сделал свои Ultrascale несколько лет назад. Кристалл на сумасшедшие 2М LE состоял из 4х кристаллов и объединительного кристалла (interposer в терминах технологии TSV) по технологии 65 нм. 2М LE чипы стоили безумных денег типа 50к, но прототиписты микросхем отрывали их с руками - всяко дешевле, чем переделывать маски 40 нм (и тоньше) из-за ошибки в строке VHDL... 3. HBM 3D, она же HMC. Обеспечила качественный рывок в производительности подсистемы памяти видеокарт, на и на Xeon их стали прикручивать. http://caxapa.ru/560663.html 4. В старших моделях ZEN основным know-how AMD стала технология объединения кристаллов через Infinity Fabric -->, что позволило делать монстровые по числу ядер процессоры с хорошим выходом годных с экономикой лучше, чем у Intel. 5. Nvidia исследует возможность создания графических процессоров, состоящих из нескольких отдельных кристаллов http://www.ixbt.co …delnyh-kristallov.html Ага, не хотят остаться на свалке истории... 6. Ближе к MCU. Фирма GigaDevice умудрилась сделать двухкристальные MCU (FLASH - отдельный кристалл) на Cortex с теневым кешем на полноскоростной SRAM по небольшим ценам http://caxapa.ru/762616.html Можно вспомнить уже устаревший ST STR912, в котором было до 2М FLASH Dual burst Flash memories, 32-bits wide, но цены там были далеко не GigaDevice, и некоторые чудесные баги, например, невозможность байтового обращения к памяти при 16 битной внешней шине в BGA корпусах (только полусловами и словами), которые убили интерес к этим перспективным чипам у всего рынка. В целом, видится четкая тенденция, и она вполне осмысленная. Например, в части MCU, я считаю, что будущее за отдельным кристаллом NOR FLASH, но который будут не проводками разваривать на основной, а сажать на TSV в полностью автоматическом режиме. 40 нм NOR FLASH 256 бит 70 МГц, как она получилась в STM32H7 у ST, http://caxapa.ru/763964.html может дать мощный толчок миру embedded. 8Мбайт FLASH уже реальность для AURIX от Infineon, и технология там 65 нм, и цены весьма нехилые. http://caxapa.ru/650345.html Если прикрутить 8 или 16М NOR FLASH к 40нм логическому кристаллу с Cortex-M7 и далее, то получится 400-500 МГц хардкорный RT чип с высокой надежностью - вся программа уже в памяти при старте! Освободившееся место отдать большому ОЗУ (renesas в RZ/A показала нам, что по 40 нм до 10Мбайт 128 битной 133 МГц SRAM могут стоить разумных денег), и получится очень взрослая система в корпусе - типа 16Майт FLASH и 8Мбайт ОЗУ. Если не ставить Linux, на который, вероятно, все производители памяти молятся, то будет чудесное устройство! Чуток про TSV http://caxapa.ru/399189.html