Evgeny_CD, Архитектор (22.10.2017 02:24 - 02:46, просмотров: 1624)
MCU на основе ReRAM (творчество Panasonic как пример -> -->). Полагаю, влияние на индустрию будет кардинальным. (Да, я помню что TI что-то там родил, и NXP вроде балуется, я о другом) http://caxapa.ru/788614.html
http://caxapa.ru/788615.html
Важно 3 параметра:
- 40 нм, 28 нм в перспективе
- 20 нс - цикл чтения
- 100к записей без стирания (когда-то FLASH начинал с такого, но стирание было и есть проблеа)
Как мы знаем, пока только ST сподобился сделать 40 nm NOR FLASH (STM32H7) и то, судя по всему, каменный цветок рождяется очень долго и трудно. И цена недетская.
При этом 40 нм стали вполне доступны для "не совсем топовых" фирм.
Сделать MCU на 40 нм Cortex-M7 400-600 Мгц + SRAM 2М + ReRAM 8М - и это будет бомба! При 256 битном досупе ReRAM получим ускорение 8:1 (при выборке 32 битными словами, а это типа 2 команды - как раз для M7), так что 400 МГц Cortex можно будет кррмить данными на полной скорости с микроскопическим кешем.
Renesas RZA1L - это 40 нм и много мегабайтов SRAM. H7 - это мегабайт ОЗУ. Так что все реально.