caxapa.ru :: есть ли P-channel MOSFET ( или сборки P+N), имеющие сопротивление не более 0,1 ома при напряжении затвор-исток 0,7...1Вольт? То есть, транзистор должен быть хорошо открыт при напряжении затвор-исток 0,7В. Коммутируемый ток миллиампер 500,

=L.A.= (25.04.2018 18:23 - 20:02, просмотров: 1117)

есть ли P-channel MOSFET ( или сборки P+N), имеющие сопротивление не более 0,1 ома при напряжении затвор-исток 0,7...1Вольт? То есть, транзистор должен быть хорошо открыт при напряжении затвор-исток 0,7В. Коммутируемый ток миллиампер 500, мощность небольшая. Сборка IRF7307 не дотягивает до нужных кондиций.

Ответить

- Si2329DS (Vishay). Но только от 0.9В argus98(26.04.2018 11:57)
- -> хорошо открыт при напряжении затвор-исток 0,7В - это к биполярным транзисторам, полевой управляется полем, надо разность потенциалов, да побольше :) - m9rs(26.04.2018 08:49)
  - Раньше биполярные транзисторы имели Uкэ нас примерно 0,2 В. Теперь появились low VCEsat(BISS)transistor PBSS5420D. Коллеги подсказали. - =L.A.=(26.04.2018 09:28, ссылка)
    - Я не понял сколько тока надо в базу вдувать, чтобы открыть. Что-то везде Ib=50 mA в DS приводится. - alho(26.04.2018 09:35)
      - в той же доке указан коэффициент hFE (h21) который равен 250, минимальное значение. - =L.A.=(26.04.2018 09:41)
- AO4600 или поставте два в паралель - m9rs(25.04.2018 19:27, ссылка, ссылка)
  - эти еще меньше подходят, чем IRF7307 - =L.A.=(25.04.2018 19:50)

Схемы, платы, компоненты