Схемы, платы, компоненты

[SOA ОБР SiC <-> MOSFET] В классе 1200В "около 10А" Всем хороши SiC, но ОБР (область безопасной работы) у них дохлая - при напряжении 1000В одиночный импульс 1А длительностью 1 мс (только у одного типа) и менее (у остальных). Причем это транзисторы разных фирм! Первый попавшийся старый добрый MOSFET имеет в 7+ раз больше подзатворную емкость, но ОБР - 1000В 3А 1 мс. Вот такой вот нюанс :)