dinam (21.02.2019 04:50, просмотров: 153) ответил Yurasvs на Нет, так и не понял до конца. Отличие моего режима от типового только в длительности переключения и соответственно бОльших динамических потерях. Ускорить пробовал, но сильно увеличивается уровень помех на аналоговую и процессорную часть девайса,
Честно говоря я в руках не держал ни одного CoolMOS™, ни SiC диода, ни продукцию IXYS, но на мой взгляд repetitive avalanche energy тут ни причем. Вы же писали, что вы не видите на осциллографе никаких выбросов. Судя по картинкам он у вас достаточно высокочастотный, чтобы ему можно было верить. Значит дело в чем то другом. Я бы посоветовал пристальнее присмотреться к транзисторам IXYS, например, IXTH80N65X2. Если я правильно понимаю, то они по итоговому быстродействию не хуже IPW60R040C7, но намного лучше держат мощу при коротких импульсах. Помимо этого посмотрите на Maximum Transient Thermal Impedance. Что подтверждает их дубовость по сравнению с CoolMOS™ C7. Из сравнения характеристик этих транзисторов я бы сделал вывод, что не имеет практического смысла применять CoolMOS™ C7 в схемах где выделяется приличная мощность в момент переключения. Это их убивает. А вот в резонансных, где импульсной мощности мало, но важны малые емкости и низкое сопротивление им самое место. Т.е. в схемах, где коэффициент формы тока большой их низкое сопротивление выстрелит в хорошем смысле этого слова.