ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Понедельник
23 декабря
1004715 Топик полностью
fk0легенда (15.05.2020 14:02, просмотров: 612) ответил VLLV на Спасибо. Здесь тоже база-эмиттер Q3 желательно шунтировать вторым диодом. p-n-p транзистор =расширение номенклатуры. Пока работает схема на LM311 вместо Q3, с одним n-p-n транзистором. А на что повлияет нестабильное входное напряжение?
Нельзя шунтировать. D2 это шоттки, не стабилитрон. Иначе бы бачок подтекал (в заряженном состоянии напряжение на конденсаторе/эмиттере выше чем на базе). Выходное напряжение задаётся делителем R2/R7/R8 и пропорционально входному. Приколхозить сюда стабилитрон как-то не просто. А разве NPN транзистор можно использовать сверху? Он будет работать исключительно в активном режиме, а N-канальный мосфет вообще не будет. Хотя, конечно если там сотня-другая милливатт, например, 

можно и плюнуть.

[ZX]