caxapa.ru :: И строительство завода, и "подготовила" - всё это лишь маркетинг. "По предварительным прогнозам" в промежутке между 2023 и 2024. Завод не построен, а строится (и запускается) FAB небыстро. Да и предсказания новостей за 4 года как-то слишком уж преждевременны.... Это первое.

RxTx (17.07.2020 09:12, просмотров: 859) ответил Xaoc на TSMC подготовила революционную 2-нм полупроводниковую технологию GAAFET.

И строительство завода, и "подготовила" - всё это лишь маркетинг. "По предварительным прогнозам" в промежутке между 2023 и 2024. Завод не построен, а строится (и запускается) FAB небыстро. Да и предсказания новостей за 4 года как-то слишком уж преждевременны.... Это первое.

А второе - нет там никаких 2нм по метрике предыдущих техпроцессов. Нет ныне стандарта и каждый во что горазд. Сейчас тупо наименьший элемент, коим является ширина канала. На швабре недавно выкатывали статью "7 нм техпроцесс в чипах: Померяемся нанометрами? РАЗБОР" https://habr.com/ru/company/droider/blog/510796/ говно конечно, этого блого-хипстера ногами бить надо, но на безрыбье и рак рыбой.. Вот получше было из трех частей: https://habr.com/ru/post/453438/

Samsung PDK 3nm на GAAFET'ы выкатил год назад https://www.anandtech.com/show/14333/samsung-announces-3nm-gaa-mbcfet-pdk-version-01 (и Samsung 3nm тоже маркетинг)

Intel покамест трудятся. Гуглить intel nanosheet FET. https://spectrum.ieee.org/semiconductors/devices/the-nanosheet-transistor-is-the-next-and-maybe-last-step-in-moores-law

Я вот думаю - выкатят ли они наконец репаки в виде N кристаллов под одной крышкой, как AMD?

Ответить

Средства и методы разработки