Evgeny_CDАрхитектор (03.11.2020 21:32, просмотров: 191) ответил PowerMann на Достоверность параметров MOSFET: упала на почту рекламка таких вот
транзюков
<epc-co.com/epc/Products/eGaNFETsandICs/EPC2215.aspx>.
Смотрю в даташит и одолевают меня смутные сомнения: Pcond =
32^2*0.008 = 8.2W - снять такой тепловой поток с ~7.4 мм2 полоски
кремния, да с учетом что входы-выходы у него это пара полосок
припоя по ~0.8 мм2. А так-бы неплохо запараллелив десяток получить
готовый сварочный выпрямитель...-
- Да не. тут тенденция похоже. Недавно кто-то про Infineon
рассказывал - Ids в даташите он больше про импульсный ток. Так и
тут: если урезать осетра вдвое до 10-15А, то и Pcond будут <
1.8W, а Pswitch у GaN Mosfet мизерные. Новомодные GaN зарядки
неудивительно что зверски греются - эксплуатация на пределе
возможностей элементной базы до добра не доведет. - Chip_n_Go(04.11.2020 14:31,
)
- Да не. тут тенденция похоже. Недавно кто-то про Infineon
рассказывал - Ids в даташите он больше про импульсный ток. Так и
тут: если урезать осетра вдвое до 10-15А, то и Pcond будут <
1.8W, а Pswitch у GaN Mosfet мизерные. Новомодные GaN зарядки
неудивительно что зверски греются - эксплуатация на пределе
возможностей элементной базы до добра не доведет. - Chip_n_Go(04.11.2020 14:31,