Evgeny_CD, Архитектор (14.01.2021 22:23, просмотров: 285) ответил Evgeny_CD на А можно подробнее про устойчивость FET к КЗ? Первый раз про такое
слышу. С IGBT все отчасти понятно - биполярный транзюк внутри
вылетает в линейный режим. А в FET такого нет!-
- Энергия выделившаяся на переходе за 3-5 мкс не способна его разрушить? А мощность ограничена падением напряжения, и в конечном счёте низким сопротивлением канала. Далее переход разогревается, сопротивление растёт, мощность растёт, процесс принимает лавинообразный характер и из транзистора выходит волшебный дым. - fk0(14.01.2021 22:39)