Yurasvs (14.01.2021 22:51, просмотров: 417) ответил Evgeny_CD на А можно подробнее про устойчивость FET к КЗ? Первый раз про такое
слышу. С IGBT все отчасти понятно - биполярный транзюк внутри
вылетает в линейный режим. А в FET такого нет!-
- IGBT влетает в desat независимо от Vgs и Vds. Поэтому desat там
ловить легко. Попытка перевести ключевой MOSFET в режим генерации
тока это полный писец схемотехнике. Это будет такая АВМ, что АВМ
старой советской боеголовки курит в сторонке. Evgeny_CD(884 знак., 14.01.2021 23:32)
- adum4135 - Chip_n_Go(15.01.2021 23:49,
)
- Спасибо, хорошая штучка! - Evgeny_CD(17.01.2021 16:03)
- Вообще, если подумать, то аналогово-цифровой конечный автомат,
который все это будет делать, умеренно сложный, и сделать его в ИМС
по 0.25 мкм, скажем, вполне реально. Странно, что это не сделали до
сих пор. - Evgeny_CD(15.01.2021 01:06)
- dialog semiconductor делает аналогово-цифровые плисины. но ресурсов
там не так уж чтобы и много - Mahagam(15.01.2021 01:55, ссылка)
- Если использовать идею индивидуальной калибровки, то ресурсов хватит. Это очень сильно упростит логику работы. - Evgeny_CD(15.01.2021 02:12)
- Спасибо! Однако дерзнуть можно - 12В 2А выходы там есть, то, что доктор прописал. - Evgeny_CD(15.01.2021 02:08)
- Более того. При нормальном производстве в целом не так и трудно прогнать в термошкафу транзюки и снять индивидуальные характеристики. После чего зашить в EEPROM драйвера. Он очень сильно упростится от этого. - Evgeny_CD(15.01.2021 01:50)
- dialog semiconductor делает аналогово-цифровые плисины. но ресурсов
там не так уж чтобы и много - Mahagam(15.01.2021 01:55, ссылка)
- Вопрос - а такие готовые драйвера для полевиков есть? IR2104, IR2118,...... - m16(14.01.2021 23:45)
- ? Там вообще защит нету. - Evgeny_CD(15.01.2021 00:43)
- Там нет десатурейшена. - Yurasvs(14.01.2021 23:52)
- Не надо работать на границе ОБР. Тогда все проще. Кого интересует, при каком токе он реально вырубится, при 5ти или 10тикратном? Главное, чтобы не вырубался при рабочем и оставался жив при срабатывании защиты. Пусть порог гуляет в 2 раза в рабочем диапазоне температур, ну и хрен с ним. Зато просто и малогабаритно, хотя ИЖБТ дешевле конечно. Для однократного срабатывания высокая скорость МОСФЕТов не дает никаких преимущств, так что бездиодные ИЖБТ встречнопараллельно вне Yurasvs(12 знак., 14.01.2021 23:43)
- adum4135 - Chip_n_Go(15.01.2021 23:49,
- IGBT влетает в desat независимо от Vgs и Vds. Поэтому desat там
ловить легко. Попытка перевести ключевой MOSFET в режим генерации
тока это полный писец схемотехнике. Это будет такая АВМ, что АВМ
старой советской боеголовки курит в сторонке. Evgeny_CD(884 знак., 14.01.2021 23:32)