caxapa.ru :: У них тоже есть нечто похожее на насыщение. При перегрузках они переходят в режим источника тока, ток определяется текущим напряжением затвор-исток. тем более что термостабильность этого "коэффициета передачи" у SiC гораздо выше, чем у простых мосфетов.

Yurasvs (29.04.2021 09:16, просмотров: 419) ответил Evgeny_CD на У этого "сшестеренного" энергия переключения весьма большая. Как они достигли стойкости к КЗ - не понимаю. У IGBT к усиления не хватает быть открытым при большом токе. А здесь не понимаю. Что такое DESAT применительно к полевику тоже не понимаю.

У них тоже есть нечто похожее на насыщение. При перегрузках они переходят в режим источника тока, ток определяется текущим напряжением затвор-исток. тем более что термостабильность этого "коэффициета передачи" у SiC гораздо выше, чем у простых мосфетов.

Ответить

- Спасибо! Надо документ какой-нибудь найти - Evgeny_CD(29.04.2021 09:47)

Схемы, платы, компоненты