Evgeny_CD, Архитектор (11.06.2021 14:43, просмотров: 275) ответил Yurasvs на Когда-то запирали тиристоры обратным импульсом тока. Все
возвращается на круги своя. Инфинеон применил дополнительный
источник +24В и низковольтные ключи для принудительного
рассасывания заряда встроенных диодов высоковольтных МОСФЕТов.
Таким образом появилась возможность использовать обычные (не
карбидкремниевые и не GaN) МОСФЕТы в высоковольтных полумостовых и
мостовых схемах, работающих в режиме жесткого переключения.
Референс дизайн от Инфинеона, безмостовой тотем поул-
- Такой схемотехнический геморой чтобы яэкономить два SiC Mosfeta: NeoPower(51 знак., 11.06.2021 15:13,
, ссылка)
- Спасибо! - Evgeny_CD(11.06.2021 19:48)
- Эти SiC мосфеты могут стоить дороже всего этого геморроя, к тому же
встроенный в них диод хуже, чем специализированные SiC диоды.
Иногда SiC мосфеты шунтируют дополнительно SiC диодами. - Yurasvs(11.06.2021 15:18)
- WBG-полупроводники стремительно эвоционизируют и дешевеют, а из
традиционного кремния как из той кошки последние капли дожимают
такими вот методами. Интересно для баяна из нескольких
www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/20v-800v-automotive-mosfet/75v-100v-n-channel-automotive-mosfet/iaus300n10s5n015t/#!boards
для сурового многоамперного синхронного выпрямителя предложенный
метод можно задействовать? - NeoPower(11.06.2021 15:40,
)
- Что-то не очень заметно, чтобы они дешевели. Ищу себе
высоковольтные на 1200В с приемлемыми динамическими потерями
(полумост, который будет работать на напряжении 720В и частоте
60кГц в жестком режиме), найти дешевых пока не могу. На низких
напряжениях все не так страшно, Ваш синхронный выпрямитель может и
не понадобится рихтовать подобным методом. - Yurasvs(11.06.2021 16:42)
- А почему именно полумост, а не полный + резонансные топологии типа PSFB / LLC etc? А выбрать из кого есть: Infineon / Wolfspeed / On Semi / ST / ROHM / UnitedSiC / Microchip. Смотреть аппликейшены по On-Board chargers для электромобилей. Где-то проскакивала новость, что и в России хотят лицензировать у Japan-цев технологию SiC Mosfet. Тут надо понимать, что дешевле классического кремния со среднестатистическими параметрами не сделать, но когда параметры нужны запредельные то NeoPower(35 знак., 11.06.2021 20:09)
- Что-то не очень заметно, чтобы они дешевели. Ищу себе
высоковольтные на 1200В с приемлемыми динамическими потерями
(полумост, который будет работать на напряжении 720В и частоте
60кГц в жестком режиме), найти дешевых пока не могу. На низких
напряжениях все не так страшно, Ваш синхронный выпрямитель может и
не понадобится рихтовать подобным методом. - Yurasvs(11.06.2021 16:42)
- WBG-полупроводники стремительно эвоционизируют и дешевеют, а из
традиционного кремния как из той кошки последние капли дожимают
такими вот методами. Интересно для баяна из нескольких
www.infineon.com/cms/en/product/power/mosfet/20v-800v-automotive-mosfet/75v-100v-n-channel-automotive-mosfet/iaus300n10s5n015t/#!boards
для сурового многоамперного синхронного выпрямителя предложенный
метод можно задействовать? - NeoPower(11.06.2021 15:40,
- Я зарегистрирован, схему видел. SiC диоды там маломощные, в корпусах SMA, ток через них идет только во время мертвого времени. - Yurasvs(11.06.2021 15:06)
- Такой схемотехнический геморой чтобы яэкономить два SiC Mosfeta: NeoPower(51 знак., 11.06.2021 15:13,