Evgeny_CDАрхитектор (11.06.2021 14:50, просмотров: 321) ответил Yurasvs на Когда-то запирали тиристоры обратным импульсом тока. Все
возвращается на круги своя. Инфинеон применил дополнительный
источник +24В и низковольтные ключи для принудительного
рассасывания заряда встроенных диодов высоковольтных МОСФЕТов.
Таким образом появилась возможность использовать обычные (не
карбидкремниевые и не GaN) МОСФЕТы в высоковольтных полумостовых и
мостовых схемах, работающих в режиме жесткого переключения.
Референс дизайн от Инфинеона, безмостовой тотем поул-
- Низковольтные транзисторы Оптимосы открываются после закрытия
одного ключа, но перед открытием другого. Импульс тока от источника
24В (в верхнем плече от бутстрепного конденсатора) рассасывает
заряд встроенного в силовой транзистор диода, и противоположный
транзистор открывается мягко, в ZCS режиме. Дополнительных сигналов
управления не нужно, Оптимосы отпираются по фронту с помощь
дифференцирующей цепочки, основной импульс задерживается немного с
помощью интегрирующей. - Yurasvs(11.06.2021 15:15)
- В целом идея крайне перспективная! Мне понравилось. Спрашивается, почему раньше так не делали? - Evgeny_CD(11.06.2021 19:49)
- Низковольтные транзисторы Оптимосы открываются после закрытия
одного ключа, но перед открытием другого. Импульс тока от источника
24В (в верхнем плече от бутстрепного конденсатора) рассасывает
заряд встроенного в силовой транзистор диода, и противоположный
транзистор открывается мягко, в ZCS режиме. Дополнительных сигналов
управления не нужно, Оптимосы отпираются по фронту с помощь
дифференцирующей цепочки, основной импульс задерживается немного с
помощью интегрирующей. - Yurasvs(11.06.2021 15:15)