Вижу два нарушения: 1) высокоомная нагрузка (не образуется
аттенюатор); 2) Нарушение режима работы из-за заземления подложки
при наличии отрицательного питания.
Общеизвестно, что у кремниевых микросхем, потенциал подложки должен быть самым отрицательным (не должно быть цепей с напряжением ниже Vss-0.3В обычно).