ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Четверг
14 ноября
1151107 Топик полностью
Evgeny_CD, Архитектор (03.12.2021 21:49, просмотров: 222) ответил Boвa на О терминологии: сравнивать SiC с IGBT это как сравнивать теплое и квадратное. Разве нельзя сделать биполярный транзистор с изолированным затвором из SiC?
Спасибо. В принципе, ты прав. По факту есть устоявшиеся понятия, что IGBT - это отдельный сорт кремниевых транзисторов. SiC - они могут быть целых трех видов: FET, JFET и биполярный.