Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Четверг
14 ноября
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
1151107
Топик полностью
Evgeny_CD
, Архитектор
(03.12.2021 21:49, просмотров: 222)
ответил
Boвa
на
О терминологии: сравнивать SiC с IGBT это как сравнивать теплое и квадратное. Разве нельзя сделать биполярный транзистор с изолированным затвором из SiC?
Спасибо. В принципе, ты прав. По факту есть устоявшиеся понятия, что IGBT - это отдельный сорт кремниевых транзисторов. SiC - они могут быть целых трех видов: FET, JFET и биполярный.
Ответить