ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Четверг
14 ноября
О смысле всего сущего0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынокОбъявления
МикроконтроллерыPLD, FPGA, DSP AVRPICARM, RISC-VТехнологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты
1152036 Топик полностью
NeoPower (06.12.2021 17:10, просмотров: 5) ответил Evgeny_CD на По мотивам топика про высоковольтный (по входу) источник питания. Империя высоковольтные FET наносят ответный удар. Очень интересные цены, много есть на складе DigiKey. Цены оттуда же. Сопротивление канала выше SiC, но цены, цены... Полевики с мало емкостью затвора и очень быстрые. ST в области полевиков рулит!
Главная беда высоковольтных Si Mosfet это посредственные характеристики паразитного диода: Trr - сотни наносекунд, Qrr - микрокулоны, что приводит к большим потерям на переключении (если только это не 50 Гц, тогда не важно). Для SiC той-же мощности Trr - десятки нс. и Qrr - десятки-сотни нанокулон.