Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Суббота
17 августа
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Средства и методы разработки
1156493
Топик полностью
Evgeny_CD
, Архитектор
(19.12.2021 21:48, просмотров: 585)
ответил
Evgeny_CD
на
IBM и Samsung придумали вертикальные транзисторы VTFET
Подробности
https://3dnews.ru/1056244/ibm-rasskazala-v-chyom-sekret-vertikalnih-tranzistorov-vtfet
Ответить
Вполне ожидаемо - Samsung застрельщик вертикальной Flash, а все транзисторы меньше 4 нм переходят с FinFet на GaaFet с окруженим затвором проводящего канала. Только ждать придется не менее 5 лет, до суб-нм норм.
-
Chip_n_Go
(20.12.2021 00:13
,
)
Как всегда, есть два аспекта. Доказательство теоремы существования и масс продакшен. Первое позволяет зарезервировать деньги инвесторов. Второе уж как сложится. У Intel 10 нм тех процесс вроде тоже поначалу был зашибись, а оно вона что вышло.
-
Evgeny_CD
(20.12.2021 00:53
)