Вход Наше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Суббота
3 августа

О смысле всего сущего 0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынок Объявления

Микроконтроллеры PLD, FPGA, DSP AVR PIC ARM, RISC-V Технологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты

Схемы, платы, компоненты

1177738 Топик полностью

misyachniy (23.02.2022 09:35, просмотров: 129) ответил Tpoeшник на Использую полевой транзистор SI2323DS. У него небольшие утечки

По паспорту при НУ до 1мкА. Обычный 1N4148 около 10нА

Ответить

- НУ это нормальные условия? Значение приведено при 16В. Я графика не нашел в документе. Интересно как выглядит значение на разных напряжениях. - Tpoeшник(23.02.2022 11:12)
  - Как у диода. - misyachniy(23.02.2022 13:00)
    - Если как у диода то есть зависимость от напряжения прикладываемого. В итоге у транзистора выше о котором может быть и куда меньше. Только что намерял 250nA . Устал дальше ждать - Tpoeшник(23.02.2022 13:34 - 13:40)
      - В 25 раз хуже "обычного" диода. - misyachniy(23.02.2022 13:36)
        
        И еще: а зачем вообще о утечках говорить? Ведь актуален этот вопрос если батарея не правильно включена и диод транзистора заперт. - Tpoeшник(23.02.2022 18:33)
        
        Утечка - это лишний разряд при работе от батареи. - BlackMorda(23.02.2022 20:04)
        
        Хм. В даташите есть параметр Gate-Body Leakage. Дается он для Vds =0 и Vgs = 8. Для транзистора si2323ds этот ток равен 100nA. - Tpoeшник(23.02.2022 20:22)
        
        Это утечка через изолятор затвора. - BlackMorda(23.02.2022 20:28)
        
        Да, но это утечка которая практически ничего не значит даже для CR2025! Есть и саморазряд и конденсаторы на плате. Ну и самое главное падение у диода есть. - Tpoeшник(23.02.2022 13:40)