Сейчас используется CDRH2D18/HPNP-4R7NC, её ток насыщения
составляет 1.2А. Верно ли ваше предположение "ток с момента насыщения начинает лавинно расти и пересекает момент отсечки почти вертикально"? Мне кажется, не очень.
Я знаю, что "ток насыщения 1.2А" приводит к снижению индуктивности на 35%, ну и что? Чуть сильнее будет подниматься ток в индуктивности при токе выше 1 А. Но не "почти вертикально".
Вот осциллограмма напряжения на DA2.6 в момент втыкания флэшки, судя по расчётам, там постоянно срабатывает ограничение тока через MOSFET. Потом скажность падает, и ограничения не возникает.
Не должна выходить из строя, но иногда выходит. Бракованная партия?
CDRH2D18_HP.pdf