De_User (18.07.2008 16:13, просмотров: 180) ответил De_User на В 2004-2005 г. решили увеличить ёмкость и номинал резистора, чтобы при помехе типа "иголки" bootstrap конденсатор не успел до 25В и выше зарядиться. А частота моста достаточно низкая, < 20 кГц.Let's come together right now !
-
- Как вариант поставить по диоду анодом на HO катодом на VB. Но мне кажеться, что при перенапряжении в питании драйвера верхнего ключа пробило бы и затвор верхнего МОП-тр-ра. Далее везде. - NGK(18.07.2008 16:04)
- Диод анодом к выв.5 (VS), катодом к выв.2 (COM) цепь "GND источника питания" установлен. По идее, он не должен позволять зарядиться bootstrap конденсатору выше чем 12+1В. - De_User(18.07.2008 16:37)
- Если речь о диоде D1А рис. 5, то он не дает напряжению средней точки моста упать ниже 0В NGK(460 знак., 18.07.2008 17:26)
- 2 NGK: СПАСИБО! Советы очень помогли! Заработало! De_User(410 знак., 18.07.2008 21:43)
- Рад за Вас. Успехов. - NGK(21.07.2008 09:51)
- 2 NGK: СПАСИБО! Советы очень помогли! Заработало! De_User(410 знак., 18.07.2008 21:43)
- Если речь о диоде D1А рис. 5, то он не дает напряжению средней точки моста упать ниже 0В NGK(460 знак., 18.07.2008 17:26)
- Почему-то MOSFET оказываются устойчивее. Хотя был случай, что после случайной подачи питания >30В 50мА пробило оба драйвера IR211x и 4 MOSFET. - De_User(18.07.2008 16:20)
- Диод анодом к выв.5 (VS), катодом к выв.2 (COM) цепь "GND источника питания" установлен. По идее, он не должен позволять зарядиться bootstrap конденсатору выше чем 12+1В. - De_User(18.07.2008 16:37)
- Как вариант поставить по диоду анодом на HO катодом на VB. Но мне кажеться, что при перенапряжении в питании драйвера верхнего ключа пробило бы и затвор верхнего МОП-тр-ра. Далее везде. - NGK(18.07.2008 16:04)