В какой-то степени способность транзистора работать на индуктивную
нагрузку характеризует наличие в справочных данных сведений об
области безопасной работы при обратном смещении и связанной с этим
величине энергии. Почему транзисторов n-p-n больше, чем p-n-p?
Из-за разной подвижности носителей для кремниевых транзисторов
n-p-n транзисторы оказались предпочтительней. Они более
быстродействующие и, что еще важнее, кристалл транзистора при
одинаковом максимальном токе и напряжении насыщения имеет меньшую площадь. Ну и в высоковольтных транзисторах увеличение площади кристалла вылазит еще одним боком. Увеличивается периметр перехода база-коллектор и усложняются проблемы обеспечения высокого пробивного напряжения.