ВходНаше всё Теги codebook PARTS Поиск Опросы Закон Суббота
1 апреля
О смысле всего сущего0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынокОбъявления
МикроконтроллерыARM, RISC-V AVRPICPLD, FPGA, DSP КибернетикаТехнологии Схемы, платы, компоненты
1292799 Топик полностью
Evgeny_CD, Архитектор (16.03.2023 01:46, просмотров: 37) ответил Evgeny_CD на Первая стр., правый столбец сверху. The device contains two SiC MOSFETs with bidirectional current up to 30mA and peak current up to 50mA.
Странно, почему в таблицу предельных параметров не внесли. Хитрожопят китайцы. 
Ответить