ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Вторник
23 апреля
О смысле всего сущего0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынокОбъявления
МикроконтроллерыPLD, FPGA, DSP AVRPICARM, RISC-VТехнологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты
1292799 Топик полностью
Evgeny_CD, Архитектор (16.03.2023 01:46, просмотров: 110) ответил Evgeny_CD на Первая стр., правый столбец сверху. The device contains two SiC MOSFETs with bidirectional current up to 30mA and peak current up to 50mA.
Странно, почему в таблицу предельных параметров не внесли. Хитрожопят китайцы. 
Ответить