Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Пятница
22 ноября
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
1295380
Топик полностью
Visitor
(26.03.2023 06:54, просмотров: 91)
ответил
Boвa
на
О терминологии: сравнивать SiC с IGBT это как сравнивать теплое и квадратное. Разве нельзя сделать биполярный транзистор с изолированным затвором из SiC?
В этом году даже диоды нормальные типа MBR40250G не купить, пришлось на китайские менять. Падение вдвое больше. Да и пофиг, что КПД не 96% а 94% будет.
Ответить