ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Пятница
19 июля
13067 Топик полностью
=mse= (05.08.2004 11:57, просмотров: 1) ответил =L.A.= на Тем более, что диффузия вредна для изоляции p-n переходом, а нынче в микросхемах применяют изоляцию транзисторов поликремнием или SiO2 или какие другие извраты.
Тем не менее SOI(КНС по нашему) на современных нормах удел достаточно продвинутых дядек. Не всякий Интель на это способен ;О)