caxapa.ru :: вроде околонулевое в районе 4,7..6,8 должно быть. Термокомпенсированные прецизионные КС175-е как раз в этом диапазоне (были ещё какие-то, то ли 430-е, толи 521-е

Adept (26.11.2023 16:01, просмотров: 140) ответил Visitor на Как то доки на стабилитроны глянул, там интересная зависимость термо ухода от напряжения стабилизации. Пересечение с положительного на отрицательный в районе 2.4 В.

вроде околонулевое в районе 4,7..6,8 должно быть. Термокомпенсированные прецизионные КС175-е как раз в этом диапазоне (были ещё какие-то, то ли 430-е, толи 521-е - не упомню уж)

...делать нужно так, как нужно. А как ненужно - делать не нужно (С) Винни-Пух :)

Ответить

- термокомпенсироваанные (внутри несколько последовательных кристаллов) 818, 190, 191 (ну как мне помниццо) и там 9 вольт с хвостиком, точнее лень идти к полке за справочником. - Alex68(26.11.2023 17:49)
- у меня в памяти осталось что-то типа 6.3 - 7.2 - Alex68(26.11.2023 17:18)
  - Дата шита NXP. Бapбoc(1 знак., 26.11.2023 17:33, картинка)
    - зависит от технологии. в 723 стабилизаторе сколько опорное - около 7 вольт, чуть меньше, вроде как для интегрального варианта наименьший ТКН - Alex68(26.11.2023 17:45)
  - У Роберта Алана Пиза где-то было написано, что в районе 6В влияние туннельного эффекта примерно сравнивается с вероятностью лавинного пробоя обратно-смещенного P-N-перехода. Поэтому до 6В в стабилитронах используется преимущественно туннельный эффект, а выше 6В - лавинный пробой. - reZident(26.11.2023 17:24)
- На серию TSMC доки смотрел, там линии в районе 2.7 В пересекаются. - Visitor(26.11.2023 16:16)
  - наверное от нюансов технологии изготовления зависит всё. - Adept(26.11.2023 16:22)
    - Скорее, технология + свойства материалов некую область стабильности дают. И разную. - Visitor(26.11.2023 16:56)

Схемы, платы, компоненты