rezident (09.11.2008 01:06, просмотров: 169) ответил ssdavs000 на Это не тиристор, а транзистор --> "These are N-Channel enhancement mode silicon gate
"Тиристор" моя опечатка. Извините. Максимальную мощность рассеивания транзистора имеет смысл считать при указании максимальной температуры окружающей среды и теплового сопротивления корпус/радиатор-окружающая среда. Основной ограничитель - максимально допустимая температура кристалла. Считайте перегрев.
2,5Вт это видимо указано для комнатной температуры окр. среды (+25°C), когда корпус транзистора без отдельного радиатора, но припаян к плате с медным полигоном около 1кв. дюйма. Тепловое сопротивление корпусов при этом порядка 50-60°C/Вт выходит, а максимально допустимая температура кристалла 175°C. Вот и получается перегрев кристалла близкий к критическому (175°C-25°C)/60°C/Вт=2,5Вт(max). При идеальном теплоотводе тепловое сопротивление на порядок меньше и максимально допустимая рассеиваемая мощность получается выше. Для тех же условий (175°C-25°C)/3°C/Вт=41Вт. Только подобные расчеты слишком уж упрощенные. Кроме учета Derating factor, нужно еще и физическое расположение компонентов учитывать, чтобы избежать локального перегрева. Вообще какие-то программы для моделирования тепловых схем существуют, но мне ими пользоваться не приходилось.