Цитата из "Руководство по флеш-памяти" Kingston Technology https://media.kingston.com/pdfs/MKF_283.2_Flash_Memory_Guide_RU.pdf
На время создания данного документа для флеш-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) возможно
до 10 000 циклов записи/стирания (P/E), исходя из текущего процесса литографии. Для флеш-памяти с
одноуровневыми ячейками (SLC) возможно до 100 000 циклов записи/стирания (P/E). Для флеш-памяти
с трехуровневыми ячейками (TLC) возможно до 3000 циклов записи/стирания (P/E). Для флеш-памяти
с четырехуровневыми ячейками (QLC) возможно до 1000 циклов записи/стирания (P/E). Литография
кристаллов флеш-памяти играет ключевую роль в сроке службы ячейки, который уменьшается со
снижением размера ячейки.