Схемы, платы, компоненты

Может, ещё и как :) старики X&X напару с Титце и Шенком не дадут соврать)) это обычая Миллеровская ёмкость - RC вместе с базовым резистором :), т.е. у Вас ёмкость коллектор-база, приведённая к базе, увеличивается в коэффициент усиления каскада раз, а это 

очень много

сопротивление эмиттера 0,026/Ic (при 5 вольтах и 10К в коллеткоре Ic=5/10K = 0.5mA) Re=0,026/0,0005=52 Ку=10000/52= 192

соответсвенно при Cbc=1.5pF, приведённую к базе ёмкость получаем 192*1,5=288pF, приплюсуем сюда ещё 11pF база-эмиттерного перехода и имеете в базе, после 2,2К, Вы имеете 300pF

на 333кHz (период 3uS) уже даже Вы получите делитель 2200+1/2*pi*f*C=2200+1600, т.е. даже на 333kHz 0.42 и гарантированную "пилу" (ну ладно - "экспоненту" :)) в базе, а на 3-й гармонике 1MHz (меандр с периодом 3uS должен быть представлен хотя бы до 3-й гармоники:), вообще получите 530 ом входного по базе и делитель 2200+530

это ещё для малосигнального режима. А в ключевом ещё добавится время рассасывания заряда в базе, т.к. транзистор вгоняете в насыщение.

ну как-то так.

Чтобы это исключить, - снижайте Ку каскада, резистор в эмиттере и уменьшайте резистор в базе, старайтесь остаться в линейном режиме, можно применить каскодную схему или ОБ (смотря что вам нужно от транзистора :))