Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Суббота
23 ноября
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
1435563
Топик полностью
Бapбoc
(15.05.2024 23:48, просмотров: 42)
ответил
NeoPower
на
SiC Mosfet бывает только от 650V. т.к. на низкие напряжения не имеют преемуществ перед Si, да и пластина будет дюже тонкой - это латеральные GaN делают от 100V и выше. Сейчас у Infineon вышли шикарные транзюки с Top Side Cooling - imdq75r140m1h.
Вот, да. На блоке питания китайского ноута гордо написано GaN. Он размером в полторы сигаретные пачки. Мощностью заявленной 65 Вт.
Ну, не.
Ответить