caxapa.ru :: До 200В нет смысла, обычные мосфеты будут лучше. Галлий нитрид, но это очень дорого и на мегагерцовых частотах со всеми вытекающими. SiC транзисторы созданы для замены ИЖБТ, на напряжениях 300Вольт и выше.

Yurasvs (16.05.2024 08:31, просмотров: 39) ответил POV на В одном девайсе захотел SiC попробовать. Транзистор. Просто увидеть эффект от него. Но и купить что-то топовое, которое потом ставить не будешь - тоже смысла нет. Где бы посмотреть доставабельное в TO-220 на 10А. Напруга от 150В если бывают такие...

До 200В нет смысла, обычные мосфеты будут лучше. Галлий нитрид, но это очень дорого и на мегагерцовых частотах со всеми вытекающими. SiC транзисторы созданы для замены ИЖБТ, на напряжениях 300Вольт и выше.

Ответить

Схемы, платы, компоненты