Основная проблема двухтактных схем на обычных мосфетах, работающих
в режиме непрерывного тока, в том. что во время мертвого времени
включается в работу встроенный диод мосфета, а он жутко медленный.
При дальнейшем открытии противоположного плеча возникает большой
бросок тока обратного восстановления, который резко снижает КПД. На
низких напряжениях питания мосфеты можно шунтировать диодами Шоттки
с падением меньше, чем у встроенного диода. Шоттки могут быть
сравнительно
маломощными, с малой емкостью перехода, ток через них идет только короткими импульсами (но импульсный ток должен быть не менее рабочего). При питании более 150...200В это уже не работает, у Шотток на такое напряжение падение больше, чем у встроенных диодов. Вот тут и начинают рулить SiCы. Особый шик зашунтировать SiCы SiC диодами, либо применить каскодные транзисторы United SiC.
Yurasvs (16.05.2024 11:23, просмотров: 364) ответил POV на Драйвер леда. Работает, всё всех устраивает... но