Вход Наше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Среда
14 мая

О смысле всего сущего 0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынок Объявления

Микроконтроллеры PLD, FPGA, DSP AVR PIC ARM, RISC-V Технологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты

Схемы, платы, компоненты

1447249 Топик полностью

Visitor (07.07.2024 19:39, просмотров: 112) ответил IBAH на Не в мертвом времени дело. Восстанавливаются одновременно два диода, один в вверху левого полумоста, другой внизу правого полумоста. Ток восстановления удваивается.

А самое тупое решение не пробовали? Зашунтировать диодами быстрее.

Ответить

- Не факт что поможет. У быстрых диодов как правило больше прямое падение напряжения. В результате ток всё равно пойдёт через встроенные диоды, а подключенные снаружи останутся бесполезными. - ЫЫyкпy(07.07.2024 23:00)
- А это как? - Solo(07.07.2024 19:47)
  - IKW15T120: IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode. Также наблюдал в DS на FDS6690AS: 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET^TM. The FDS6690AS is designed to replace a single SO-8 MOSFET and Schottky diode. - Toчкa oпopы(07.07.2024 22:51)
    - Это правильно! Но это замена, а не добавка. Параллельное подключение нужно не быстрым диодом, а диодом с мягким (плавным) восстановлением обратного сопротивления. - Solo(07.07.2024 23:10)