-
- встречалось "промежуточное решение" на конденсаторах Vit(1 знак., 20.09.2024 07:32, ссылка)
- Тут ещё надо полевики подобрать без диодов внутри - scorpion(19.09.2024 18:52)
- Кремниевых силовых полевиков без диодов не бывает. И SiC тоже,
только GaN без диодов. - ЫЫyкпy(20.09.2024 10:14)
- вроде мне тут писали про некие FET, которые без диода - POV(20.09.2024 10:30)
- Диод это ведь не специальный компонент MOSFET, а технологическая особенность, возникающая при соединении истока с подложкой кристалла. На месте этого соединения образуется дополнительный P-N-переход. Существуют MOSFET у которых подложка не соединена внутри корпуса, а выведена отдельным выводом. reZident(1 знак., 20.09.2024 10:57, картинка)
- вроде мне тут писали про некие FET, которые без диода - POV(20.09.2024 10:30)
- Зачем, если их пара встречно включённых? - Nikolay_Po(19.09.2024 19:29)
- Падение на прямом диоде сколько? Даже если 0,5 вольта, при 16
амперах это будет 8 ватт. А человек хочет 1 ватт. :)) - vpv.vpv(20.09.2024 06:39)
- Причем тут падение на диоде? Полевики соединены встречно-последовательно и включаются/выключаются одновременно. Idler(235 знак., 20.09.2024 07:05)
- Падение на прямом диоде сколько? Даже если 0,5 вольта, при 16
амперах это будет 8 ватт. А человек хочет 1 ватт. :)) - vpv.vpv(20.09.2024 06:39)
- Кремниевых силовых полевиков без диодов не бывает. И SiC тоже,
только GaN без диодов. - ЫЫyкпy(20.09.2024 10:14)