Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Вторник
3 декабря
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
1472709
Топик полностью
Mty1
(27.10.2024 13:40, просмотров: 26)
ответил
reZident
на
Дык если условный "драйвер" запитать от
входного
напряжения LDO, то можно и N-MOSFET применить (в схеме истокового повторителя) с меньшим R
DS
on и меньшим V
GS
th, чем у сейчас применяемого P-MOSFET. Даже "низковольтные" MOSFET допускают на затворе ±12В. А уж 40-50Вые вплоть до ±20В.
Интересная идея, только там 2 аккумулятора - 6.5в при 90% разряда. А на выходе 4.5. Хотя если вольтодобавку сделать .... надо подумать.
Ответить