ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Четверг
31 октября
1472709 Топик полностью
Mty1 (27.10.2024 13:40, просмотров: 17) ответил reZident на Дык если условный "драйвер" запитать от входного напряжения LDO, то можно и N-MOSFET применить (в схеме истокового повторителя) с меньшим RDSon и меньшим VGSth, чем у сейчас применяемого P-MOSFET. Даже "низковольтные" MOSFET допускают на затворе ±12В. А уж 40-50Вые вплоть до ±20В.
Интересная идея, только там 2 аккумулятора - 6.5в при 90% разряда. А на выходе 4.5. Хотя если вольтодобавку сделать .... надо подумать.