Цитата с сайта elec.ru: "Нештатное переключение тиристоров по аноду без сигнала
управления В этом случае наиболее характерны следующие причины, ведущие к отказу. Переключение из-за превышения допустимой скорости нарастания прямого напряжения (эффект dv/dt).
Для этого вида отказа возможно расположение локальной области разрушения в пределах катодных областей основного или вспомогательного тиристоров. Наиболее характерно их расположение вблизи управляющего электрода — вспомогательного тиристора (аналогично, изображенному на рис. 10), или основного тиристора (аналогично, изображенному на рис. 15), т. к. эти области, как правило, наиболее чувствительны к переключению, инициированному емкостным током.
Переключение при приложении прямого напряжения в конце процесса рассасывания заряда при выключении, за время меньшее времени выключения (tq).
Такой нештатный режим переключения схематично изображен на рис. 16. Наиболее вероятным местом разрушения является катодная область основного тиристора. Такой характер повреждения типичен в условиях, когда концентрация электронно-дырочной плазмы в базовых слоях прибора недостаточна для инициирования процесса переключения по достаточно большой площади кристалла. Этот процесс происходит локально, как правило, в одной или нескольких точках, имеющих наибольшее время жизни носителей заряда, либо характеризуемых наименьшей эффективностью распределенной катодной шунтировки.
Рис. 16
Отказ при перенапряжениях в прямом или обратном направлениях.
Сильное электрическое поле создает лавинный пробой, также усиливается электрическое поле на поверхности. Отказ в этих случаях, как правило, возникает на периферии полупроводникового элемента тиристора или диода (рис. 17).
Рис. 17
https://www.elec.ru/publications/peredacha-raspredelenie-i-nakoplenie-elektroenergi/5138/