DH (13.03.2025 23:08, просмотров: 86) ответил POV на Я тупо ставлю то-то и то-то и измеряю температуру радиатора-
- ну поймаю я где косяк.. "и чо"? как подходить к выбору компонентов
до изготовления образца? - POV(13.03.2025 23:10)
- Я это начал понимать, когда в свое времям попытался моделировать в микрокапе. Если не вникать глубоко намоделируешь хуйню. Можно начать с того что разбираешься на что влияет каждый параметр в даташите, потом роешь дальше модель элемента, все эти кривые графики и все глубже и глубже. Если думаешь что аналог можно как кубики складывать забудь, там формулы считать надо и модели моделировать. Если лень, и хочешь побыструхе, то и результат будет хуйпойми. - Codavr(13.03.2025 23:39)
- Если без расчётов, то для больших частот sic, для малых шоттки - DH(13.03.2025 23:34)
- херня совет .. POV(188 знак., 13.03.2025 23:56)
- У SiC полупроводников сильно лучше Qrr, Trr причем на порядок по
сравнению с Si, а вот Vf больше. Поэтому SiC лучше работает в
схемах с жесткой коммутацией и высокой частотой. Схему нужно
промоделировать с учетом особенностей активных элементов +
паразитные L PCB (особенно для высоких частот). - ________NeoPower(14.03.2025 14:56,
) - Ещё добавлю, чем больше времени диод открыт тем больше предпочтение в сторону обычного шоттки. Т. Е. Для начала смотрим коэффициент заполнения шим и частоту, их диапазоны. Если рабочие диапазоны большие, то возможно выбор будет неоднозначен. Как писал выше коллега Cоdavr без детального анализа никак - DH(14.03.2025 08:25)
- У SiC полупроводников сильно лучше Qrr, Trr причем на порядок по
сравнению с Si, а вот Vf больше. Поэтому SiC лучше работает в
схемах с жесткой коммутацией и высокой частотой. Схему нужно
промоделировать с учетом особенностей активных элементов +
паразитные L PCB (особенно для высоких частот). - ________NeoPower(14.03.2025 14:56,
- херня совет .. POV(188 знак., 13.03.2025 23:56)
- ну поймаю я где косяк.. "и чо"? как подходить к выбору компонентов
до изготовления образца? - POV(13.03.2025 23:10)