ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Понедельник
21 апреля
О смысле всего сущего0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынокОбъявления
МикроконтроллерыPLD, FPGA, DSP AVRPICARM, RISC-VТехнологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты
1510957 Топик полностью
Adept (09.04.2025 18:53, просмотров: 111) ответил reZident на Я ж пишу, что схемы отличаются быстродействием. Если это вам не важно, то применяйте какую угодно схему. P.S. лет 10 назад "изобретал" открытую оптопару для устройства во взрывозащищенном корпусе. Vit наверное еще помнит. ;-) Тогда быстродействие этой оптопары (и фотодиода в частности) для меня было важным.
"можно п-п-помедленнеее, я записываю.." (С) :)) как оно влияет на быстродействие- то? предположим накопленные носители заряда под тдействием света, по окончании освещённости обязаны рассосаться. В первом случае они утекут в ветку ООС, во втвором случае, через резистор в землю. И в том и в другом случае процесс довольно медленный. Не вижу принципиальной разницы. Хотя, в первом случае 

у гас нет напряжения на переходе, и соответсвенно нет потенциально возможных зависимостей сдвига параметров от напряжения на переходе фотодиода.

Наверное это более правильно. Надо обдумать сей факт... кстатии говоря, по поводу повышения быстродействия, это тоже имеет значение, т.к. у крупных фотодиодов, с большой фотоплощадкой, довольно приличная ёмкость, и разрядить её - тоже нужно время и энергия, а при нулевом потенциале на переходе, этот эффект отсутствует.

Таки да, наверное в этом плюсы.

...делать нужно так, как нужно. А как ненужно - делать не нужно (С) Винни-Пух :)
Ответить