ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Среда
7 мая
О смысле всего сущего0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынокОбъявления
МикроконтроллерыPLD, FPGA, DSP AVRPICARM, RISC-VТехнологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты
1516463 Топик полностью
pavel2000 (05.05.2025 21:02, просмотров: 83) ответил pavel2000 на Демпфер. Переделываю сварочник в зарядник. В сварочнике параллельно вторичной обмотке есть RC 10 Ом + 2.2нФ (а также 2.2нФ параллельно каждой группе диодов). После переделки напряжение на вторичке больше в 3.5 раза (100В -> 350В), соответственно "необходима небольшая коррекция". Вопрос: какие именно колебания оно должно демпфировать, какова их физическая причина? Недостаточно демпферов параллельно диодам? Воспроизведутся ли эти колебания без полной нагрузки
Сдался и поставил SiC Шоттки. Ощутилось, что паразитная емкость стала больше. Внимательно посмотрел на осциллограммы, [наконец-то] увидел весьма длительное затухание. Оно было всегда, просто из-за условий тестирования не слишком бросалось в глаза. 

Подумалось, что RCD-демпфер так себе вариант, т.к. после первого всплеска емкость заряжается, диод закрывается и демпфер фактически больше ничего не демпфирует.
Наверное такой длительный звон - это плохо?



Используя рекомендации калькулятора паразитных элементов, реализовал RC-демпфер.
Осциллограмма выглядит весьма красиво, правда RC-демпфер рассеивает 2 раза больше тепла, чем RCD на предыдущей осциллограмме.


C RCD-демпфером также производилось сравнение амплитуд пика в зависимости от тока нагрузки.
В отличие от обычных Ultrafast, в случае SiC Шоттки амплитуда пика от тока нагрузки практически не зависит.

Ответить