caxapa.ru :: Кстати, D2 можно заменить на тот же PNP или NPN в "диодном" включении, т.к. на нем падение напряжение ниже, чем на обычном P-N переходе. Обратное напряжение Б-Э до 5В обычно все кремниевые транзисторы нормально держат.

reZident (30.07.2025 13:54, просмотров: 53) ответил Vit на предложу рассыпуху на основе PNP

Кстати, D2 можно заменить на тот же PNP или NPN в "диодном" включении, т.к. на нем падение напряжение ниже, чем на обычном P-N переходе. Обратное напряжение Б-Э до 5В обычно все кремниевые транзисторы нормально держат.

Ответить

- Разве ниже? те же 0.65 при токе 100мкА. Думаю при паре мА уже 0.7 легко будет. - Ralex(31.07.2025 11:09)
  - Ниже-ниже. Около уровня насыщения К-Э. Я имею в виду вариант а включения транзистора как диода (см. картинку). Вариант г тоже походит, но в таком "инверсном" включении коэффициент передачи по току, существенно ниже, чем в варианте а и, соответственно, падение может быть выше. При использовании BC847C в качестве диода по варианту а падение на нем около 0,3В ЕМНИП. reZident(1 знак., 31.07.2025 11:21, картинка)
    - промакетировал, правда в удобном корпусе был только КТ3102БМ - напряжение 0.602 вольт, ток 5 мА - Ralex(31.07.2025 17:01)
      - не пробовали при включении БЭ-К? - Vit(01.08.2025 09:54)
        
        Проверил тот же BC847C в инверсном режиме. При токе до 100мкА разницы практически никакой. На более высоких токах падение на десятки мВ отличается (больше, чем в нормальном режиме). Хотя, если честно, эти мВ могут быть и ошибкой измерения (батарейка в одном из тестеров вчера была на грани сдыхания) и влиянием температуры. reZident(203 знак., 01.08.2025 13:09)
        
        Для интереса падение напряжение на маломощном диоде Шоттки BAT54A при таких же малых токах, как и у BC847C. reZident(196 знак., 01.08.2025 13:24)
        
        спасибо. ожидаемо. и для инверсного, и для Шоттки - Vit(01.08.2025 13:52)
        
        Типа, инверсный режим? - Nikolay_Po(01.08.2025 10:02)
        
        да. аксакалы говорят, что прямое падение меньше. Игумнов Д.В., Королев Г.В., Громов И.С. Основы микроэлектроники 1991. с67 Vit(1 знак., 01.08.2025 10:52, ссылка)
      - Да, вы правы. Малое падение только на малых токах. Я тоже промакетировал на BC847C. reZident(223 знак., 31.07.2025 17:56)
        
        Малое напряжение насыщения - даёт токовое зеркало (см. выше). Toчкa oпopы(93 знак., 31.07.2025 20:49)
        
        Ради любопытства то же самое (при тех же токах) хотел проверить с маломощным диодом Шоттки BAT54A, но, блин, батарейка во втором тестере сдохла :-/ - reZident(31.07.2025 18:08)
        
        Спасибо. Жаль. - Nikolay_Po(31.07.2025 18:00)
    - Спасибо. Вроде, логично. Как только через базу начинает течь хоть какой-то ток, он тут же усиливается и уводится с коллектора в эмиттер. Поэтому нельзя говорить о насыщении перехода Б-Э, этому препятствует ток коллектора. А значит, и напряжение открытого "диода" будет меньше напряжения насыщения Б-Э. - Nikolay_Po(31.07.2025 11:29)
      - только при использовании в качестве защиты весьма вероятен выход за режим малых токов - Vit(31.07.2025 12:33)

Схемы, платы, компоненты