caxapa.ru :: В косом мосте нет такой проблемы. И SiC диоды ставить параллельно высоковольтным мосфетам смысла нет, у типичного SiC диода прямое падение 1.2...1.4В, встроенный бодидиод мосфета все равно откроется. Это работает только в низковольтных схемах, где мосфеты шунтируют диодами Шотики (не SiC). В особо высокочастотных двухтактных схемах иногда шунтируют SiC транзисторы SiC диодами, у последних нет эффекта обратного восстановления

Yurasvs (19.08.2025 14:35, просмотров: 32) ответил Vit на что-то подсказывает, что body-диоды сильно медленнее SiC и получаются короткие гонки dV/dt. возможно, если поставить параллельно им SiC, то ситуация улучшится... или нет...

В косом мосте нет такой проблемы. И SiC диоды ставить параллельно высоковольтным мосфетам смысла нет, у типичного SiC диода прямое падение 1.2...1.4В, встроенный бодидиод мосфета все равно откроется. Это работает только в низковольтных схемах, где мосфеты шунтируют диодами Шотики (не SiC). В особо высокочастотных двухтактных схемах иногда шунтируют SiC транзисторы SiC диодами, у последних нет эффекта обратного восстановления

Ответить

- может с SiC и загнул, но быстрые, например, HFA30TB60 бывает, что ставят. но видел только в поделках - Vit(19.08.2025 15:19)
  - Тогда надо тщательно проверять разницу падений на внешнем и внутреннем диодах во всем диапазоне нагрузок и температур. В старые времена городили последовательно с транзистором дополнительный мощный низковольтный диод, чтобы добавить падение, и все это вместе шунтировали обратным быстрым диодом. Но это потери лишние, только от безысходности можно было так делать. Впрочем, к конструкции ТС это все отношения не имеет. - Yurasvs(19.08.2025 20:06)

Схемы, платы, компоненты