Vit (19.08.2025 15:19, просмотров: 77) ответил Yurasvs на В косом мосте нет такой проблемы. И SiC диоды ставить параллельно
высоковольтным мосфетам смысла нет, у типичного SiC диода прямое
падение 1.2...1.4В, встроенный бодидиод мосфета все равно
откроется. Это работает только в низковольтных схемах, где мосфеты
шунтируют диодами Шотики (не SiC). В особо высокочастотных
двухтактных схемах иногда шунтируют SiC транзисторы SiC диодами, у
последних нет эффекта обратного восстановления-
- Тогда надо тщательно проверять разницу падений на внешнем и внутреннем диодах во всем диапазоне нагрузок и температур. В старые времена городили последовательно с транзистором дополнительный мощный низковольтный диод, чтобы добавить падение, и все это вместе шунтировали обратным быстрым диодом. Но это потери лишние, только от безысходности можно было так делать. Впрочем, к конструкции ТС это все отношения не имеет. - Yurasvs(19.08.2025 20:06)