-
- да это просто несколько последовательных p-n переходов. Естественно, без всякой температурной стабилизации. - Alex B.(06.05.2009 16:22)
- вопрос не в ИОН на ширине запрещенной зоны (они как раз как правило имеют ткн 100ppm), а в том что с ним можно сделать и где это правильно описано. Есть кто плотно общается с микрочип саппорт, я пишу по английски плохо :( вопросы AVF(344 знак., 06.05.2009 18:46)
- не боись, иди на support.microchip.com и пиши. Они сами по английски плохо пишут (как впрочем и читают) =) Alex B.(615 знак., 07.05.2009 13:20)
- написал, пусть разбираются в моем англицком :) - AVF(07.05.2009 20:34)
- не боись, иди на support.microchip.com и пиши. Они сами по английски плохо пишут (как впрочем и читают) =) Alex B.(615 знак., 07.05.2009 13:20)
- вопрос не в ИОН на ширине запрещенной зоны (они как раз как правило имеют ткн 100ppm), а в том что с ним можно сделать и где это правильно описано. Есть кто плотно общается с микрочип саппорт, я пишу по английски плохо :( вопросы AVF(344 знак., 06.05.2009 18:46)
- опять же в еррате написано "the internal band gap reference is being used as a reference with the A/D converter (AD1PCFG2<1> or <0> = 1) or comparators (CMxCON<1:0> = 11);" в даташите такого регистра вообще нет, есть только AD1PCFGH и AD AVF(78 знак., 06.05.2009 09:37)
- да это просто несколько последовательных p-n переходов. Естественно, без всякой температурной стабилизации. - Alex B.(06.05.2009 16:22)