У меня например требование по взрывозащите, из полупроводников допускается применение диодов транзисторов и не выше. До этого использовал относительно высокоомный шунт так чтобы при критическом токе падение напряжения превышало Uбэ и сигнал коллектора воздействовал на силовой ключ, но сами понимаете и потери большие и само Uбэ зависит от температуры и даже от производителя транзистора. Вот думаю в следующий проект закладывать уже датчик тока на токовом зеркале, наподобие такого, но силовой транзистор снаружи измерительного каскада, а вместо него шунт:
