Вход
Наше всё
Теги
codebook
无线电组件
Поиск
Опросы
Закон
Среда
8 апреля
О смысле всего сущего
0xFF
Средства и методы разработки
Мобильная и беспроводная связь
Блошиный рынок
Объявления
Микроконтроллеры
PLD, FPGA, DSP
AVR
PIC
ARM, RISC-V
Технологии
Кибернетика, автоматика, протоколы
Схемы, платы, компоненты
Схемы, платы, компоненты
1580377
Топик полностью
Nikolay_Po
(Сегодня, 11:48, просмотров: 16)
ответил
reZident
на
Дык если сравнить симмистор, скажем, на 16А и MOSFET на такой же ток, то можно легко заметить, что симмистор выдерживает 10-кратную перегрузку по току в течение сетевого периода (20мс), а MOSFET в лучшем случае 2,5-3-кратную и то это сильно зависит от текущей температуры кристалла и длительности импульса.
Главная причина - у диода/тиристора падение напряжения при росте тока растёт нелинейно, а у полевого транзистора - линейно и даже ускоренно.
Ответить