так это ж не SRAM - зачем все ячейки питать постоянно? 9мкА это Operating Current при операции с одной ячейкой (ток необходимый для управления затвором). причем этот ток существует только в момент переключения (те же 10 nsec). поскольку это NOR, то операции там не блочные как в NAND, и питать одовременно больше одной ячейки на одной линии шины при чтении смысла нет - вдруг в нескольких записан "0" - как узнать какая притянула шину к земле?
по второй ссылке с сайта Fujitsu:
By utilizing - as a key feature of FCRAM - an optimized cell array that reduces load during drive operation, and through innovations in power-supply management technology, the new flash memory macro can accelerate data-read methods. These innovations improve access speeds by 2.5 times to 10 ns, while cutting operating current for each cell by two-thirds to 9 µA, compared to Fujitsu's past technologies (Figure 1).
не думаю что сами производители описались - скорее мы не так поняли... или нет? (с)
Snaky (25.03.2010 04:39, просмотров: 120) ответил MBedder на Ога, круче некуда. 9 uA/cell - для мегабайта это будет 9 ампер, если только говнописцы не описались :))