ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Воскресенье
24 ноября
О смысле всего сущего0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынокОбъявления
МикроконтроллерыPLD, FPGA, DSP AVRPICARM, RISC-VТехнологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты
197073 Топик полностью
NGK (09.06.2010 10:24, просмотров: 175) ответил Evgeny_CD на Новое слово в схемотехнике. Силовые транзисторы из нитрида галлия (GaNFET N-Channel, Gallium Nitride) ->. Особенности работы с ними -->. Обратите внимание на "корпуса" - как ЭТО ставить на плату - не понял. В дижикее стоят осмысленных денег,
Пока не совсем хорошо. http://www.infineon.com/dgdl/IPD088N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a60116435ac7df05b3
http://epc-co.com/epc/documents/datasheets/EPC1014_datasheet_final.pdf
Берем близкие по параметрам ECP1014 40V 12мОм. Сiss=280, Coss=150, Crss=15 И Infineon IPD088L04LG 40V12,5мОм при 4.5В. Сiss=1600, Coss=390, Crss=19 Из графиков заряда затвора видно, что "заряд Миллера" для Vds=20V у них практически идентичен (при том, что у Инфинеона втрое болший ток). Плюс к этому серъезный ток утечки затвора при 4.5В, хотя и меньший чем у биполяра. Кроме того, высокая Crss при низких Ciss на болших dVds/dt увеличивает опасность наведенного открытия транзистора. Преимущества уже на средних напряжениях пока неочевидными.
Ответить