вот ещё. Про рентген - видимо я сам додумал, прошу прощения В настоящее время для производства микросхем по 130-нанометровому технологическому процессу используется глубокое ультрафиолетовое излучение (Deep UltraViolet, DUV) с длиной волны 248 нм. На подходе литографический процесс с длиной волны 13 нм, получивший название ЕU\/-литографии (Extreme UltraViolet — сверхжесткое ультрафиолетовое излучение). Если применяемая сейчас литографическая технология позволяет наносить шаблон с минимальной шириной проводников 100 нм, то EUV-литография делает возможной печать линий гораздо меньшей ширины — до 30 нм.
koyodza (19.07.2010 19:12, просмотров: 117) ответил koyodza на вот про жесткий УФ и технологии порядка 100 нм